<pre id="kxhx5"></pre>
公司新聞 |行業新聞 |
蒸發源是用來加熱膜材使之汽化蒸發的裝置。目前所用的蒸發源主要有電阻加熱、電子束加熱、感應加熱、電弧加熱和激光加熱等多種形式。電阻加熱式蒸發源：電阻式蒸發源簡單、經濟、可靠，可以做成不同的容量、形狀并具有不同的電特性。電子槍加熱蒸發源：有時很多材料不能用電阻加熱的形式蒸發，例如常用于可見光和近紅外光學
電阻加熱蒸發源優點：1.結構簡單、使用方便、造價低廉，因此使用普遍；2.可蒸發蒸發溫度小于1500℃的鋁、金、銀等金屬，蒸發一些硫化物、氟化物和某些氧化物。要求：1.蒸發源材料的自身熔點要高；2.飽和蒸汽壓要低；3.化學性能要穩定，且具有良好的耐熱性，熱源變化時，功率密度變化較小；4.蒸發源對膜材料
蒸發鍍膜涉及到的相變固-氣相變：即升華。在這一過程中，源材料從固態直接轉變為氣態，而不經歷液態。這需要足夠的能量的才能發生的，一般用加熱的方式可以實現。氣-固相變：即冷凝，升華的逆過程。當蒸發出的氣態物質遇到冷卻的襯底時，它們會凝結在其上，形成固態的薄膜。這是一個從氣態到固態的相變過程。什么是蒸汽壓
蒸發鍍膜是一種常用的薄膜制備技術，使用蒸發源將材料加熱至蒸發溫度，然后通過蒸發的材料沉積在基材表面形成薄膜。以下是幾種常見的蒸發源類型：電子束蒸發源：利用電子束將材料加熱至蒸發溫度，然后蒸發在基材上。電子束蒸發源具有高溫度和高速度的優勢，適用于多種材料的蒸發。熱阻蒸發源：通過通電使蒸發源中的阻焊絲加
MBE技術是在超高真空條件下，用其組元的分子（或原子）束噴射到襯底上生長外延薄層的技術。現代MBE生長系統的背景真空度可達 1.33×10-10Pa，分子束與分子束以及分子束與背景分子之間不發生碰撞。MBE技術的關鍵III,V族元素分別加熱到溫度Ti,Tj形成的束 引入到溫度為Ts的襯底上生長薄膜，
反射式高能電子衍射(簡稱rheed)將能量為10～50keV的單能電子掠射 (1°～3°)到晶體表面，其反射束帶有晶體表面信息，并呈現于熒光屏。當入射電子束與晶面簇的夾角θ、晶面間距和電子束波長λ三者之間滿足布喇格公式時，則沿此晶面簇對入射束的反射方向有衍射束產生，從而得到表面結構的全部信息。反射式
9月7日下午，常州市市長盛蕾、市委秘書長周承濤、市金融、市工信局一行來我司調研，董事長董國材、技術主管張祥陪同調研。市長一行參觀了公司的生產車間以及部分成品設備，董國材博士向市長介紹了公司的創業歷程、發展概況以及產品在行業內的應用情況。市長對公司近年來取得的成績表示肯定，重點詢問了公司首臺套設備“分
在選擇坩堝形狀時，個原則是和諧k-cell的加熱絲的形狀匹配，滿足這個前提之后再來考慮其他的方面。這是因為如果形狀不匹配，加熱就會不均勻，一方面測溫不準會影響實驗可重復性，另一方面坩堝各個部分熱膨脹不均勻可能會導致損壞。接下來再考慮其他方面的問題。原教旨的k-cell想象一個封閉的盒子個封閉的盒子，
11月12日，江蘇省人民發布《省關于表彰2021年度江蘇留學回國先進個人的決定》（蘇政發【2021】73號），授予我司董國材博士“江蘇留學回國先進個人”榮譽稱號，表彰其作為留學人員代表為我省科技進步和經濟社會發展作出的重要貢獻。董國材，重大人才工程A類專家、國成儀器（常州）有限公司董事長、江南石墨烯
為加強公司企業文化建設、豐富員工業余文化生活、增進同事間的友誼、開拓視野、陶冶情操。公司于5月20日組織全體員工赴湖南張家界旅游。 5月20日：常州--張家界 當日中午吃完午飯后，正當準備午休時，收到了航班取消的消息針對這種情
聯系我們
電話：0519-85555956?手機：18915876086/18112337731?網址：www.gvfx.com.cn?郵箱：[email protected]?地址：江蘇省常州市武進經濟開發區蘭香路8號常州石墨烯科技產業園3號樓2樓
國成儀器（常州）有限公司目前成熟并應用于市場的產品有：MBE、蒸發源、rheed
蘇ICP備17023866號-1 | 網站地圖 XML地圖
